На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet STL13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, POWERFLAT — Даташит

STMicroelectronics STL13NM60N

Наименование модели: STL13NM60N

23 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.32 Ом, PowerFLAT, Surface Mount
STL13NM60N
STMicroelectronics
41 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STL13NM60N
STMicroelectronics
102 ₽
Элитан
Россия
STL13NM60N
STMicroelectronics
264 ₽
AiPCBA
Весь мир
STL13NM60N
STMicroelectronics
269 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, POWERFLAT

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STL13NM60N
N-channel 600 V, 0.320 , 10 A PowerFLATTM (8x8) HV MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order code STL13NM60N VDSS @ TJmax 650 V RDS(on) max < 0.385 ID 10 A (1)
1.

The value is rated according to Rthj-case

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.32 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 5
  • Корпус транзистора: PowerFLAT
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 90 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STL13NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 10 A, POWERFLAT

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России