HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STL18NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, POWERFLAT — Даташит

STMicroelectronics STL18NM60N

Наименование модели: STL18NM60N

20 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
T-electron
Россия и страны СНГ
STL18NM60N
STMicroelectronics
114 ₽
AiPCBA
Весь мир
STL18NM60N
STMicroelectronics
300 ₽
ЭИК
Россия
STL18NM60N
STMicroelectronics
от 407 ₽
Элитан
Россия
STL18NM60N
STMicroelectronics
816 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, POWERFLAT

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STL18NM60N
N-channel 600 V, 0.260 6 A PowerFLATTM 8x8 HV , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order code STL18NM60N VDSS @ TJmax 650 V RDS(on) max < 0.310 ID 12 A (1)
1.

The value is rated according to Rthj-case

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.26 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 5
  • Корпус транзистора: PowerFLAT
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 110 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STL18NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 6 A, POWERFLAT

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России