Datasheet STL18NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, POWERFLAT — Даташит
Наименование модели: STL18NM60N
Купить STL18NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 114 до 1 256 ₽ 20 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | |||
STL18NM60N STMicroelectronics | 114 ₽ | ||
STL18NM60N STMicroelectronics | 300 ₽ | ||
STL18NM60N STMicroelectronics | от 407 ₽ | ||
STL18NM60N STMicroelectronics | 816 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, POWERFLAT
Краткое содержание документа:
STL18NM60N
N-channel 600 V, 0.260 6 A PowerFLATTM 8x8 HV , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order code STL18NM60N VDSS @ TJmax 650 V RDS(on) max < 0.310 ID 12 A (1)
1.
The value is rated according to Rthj-case
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.26 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- Количество выводов: 5
- Корпус транзистора: PowerFLAT
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)