Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STL26NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19 А, POWERFLAT

STMicroelectronics STL26NM60N

Наименование модели: STL26NM60N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19 А, POWERFLAT

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STL26NM60N
N-channel 600 V, 0.160 19 A PowerFLATTM 8x8 HV , ultra low gate charge MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order code STL26NM60N VDSS @ TJmax 650 V RDS(on) max < 0.185 ID 19 A (1)
1. The value is rated according to Rthj-case

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 19 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 5
  • Корпус транзистора: PowerFLAT
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STL26NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 19 A, POWERFLAT

    MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
    Цены на STL26NM60N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics371 руб.
    Кремнийпо запросу
    LifeElectronicsSTMicroelectronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс