Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STP10N62K3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 620 В, 8.4 А, TO220

STMicroelectronics STP10N62K3

Наименование модели: STP10N62K3

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 620 В, 8.4 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 typ., 3.8 A SuperMESH3TM Power MOSFET in TO-220FP, IІPAKFP, IІPAK, TO-220 packages
Datasheet - production data
Features
Type STF10N62K3 STFI10N62K3 STI10N62K3 STP10N62K3

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 8.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 620 В
  • On Resistance Rds(on): 0.68 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STP10N62K3 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 620 V, 8.4 A, TO220

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics123 руб.
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс