Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STP10NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 7 А, TO220

STMicroelectronics STP10NM50N

Наименование модели: STP10NM50N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 7 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD10NM50N STF10NM50N, STP10NM50N
N-channel 500 V, 0.53 7 A DPAK, TO-220FP, TO-220 , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Type STD10NM50N STF10NM50N STP10NM50N
VDSS (@Tjmax)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.53 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STP10NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 7 A, TO220

    MOSFET N-CH 500V 7A TO220
    Цены на STP10NM50N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics115 руб.
    Кремнийпо запросу
    ЭлектроПластSTMicroelectronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс