Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STP10NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO 220

STMicroelectronics STP10NM60ND

Наименование модели: STP10NM60ND

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO 220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD10NM60ND, STF10NM60ND STP10NM60ND
N-channel 600 V, 0.57 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 , FDmeshTM II Power MOSFET (with fast diode)
Features
Order codes STD10NM60ND STF10NM60ND STP10NM60ND
VDSS @TJmax 650 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.57 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STP10NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 8 A, TO 220

    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
    Цены на STP10NM60ND
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics73,90 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    LifeElectronicsSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс