Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STP210N75F6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, TO 220AB

STMicroelectronics STP210N75F6

Наименование модели: STP210N75F6

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, TO 220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP210N75F6
N-channel 75 V, 3 m 120 A TO-220 , STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order code STP210N75F6
VDSS 75 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STP210N75F6 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 75 V, 120 A, TO 220AB

    MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
    Цены на STP210N75F6
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics68,00 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    МосЧипSTMicroelectronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс