Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STP23NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19.5 А, TO 220

STMicroelectronics STP23NM60ND

Наименование модели: STP23NM60ND

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19.5 А, TO 220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx23NM60ND
N-channel 600 V, 0.150 19.5 A, FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) DІPAK, IІPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
Features
Type STx23NM60ND
VDSS (@Tjmax) 650 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 19.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STP23NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 19.5 A, TO 220

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics193 руб.
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс