Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STS8C5H30L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 8A/5.4A, 8SOIC

STMicroelectronics STS8C5H30L

Наименование модели: STS8C5H30L

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 8A/5.4A, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STS8C5H30L
N-channel 30 V, 0.018 8 A, P-channel 30 V, 0.045 5 A SO-8 , , low gate charge STripFETTM III MOSFET
Features
Type STS8C5H30L(N-channel) STS8C5H30L(P-channel)
VDSS 30 V 30 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.018 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STS8C5H30L - STMicroelectronics MOSFET, NP CH, 30 V, 8A/5.4A, 8SOIC

    Цены на STS8C5H30L
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics26,20 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Интерияпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс