Datasheet STU7NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 5 А, IPAK — Даташит

Купить STU7NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 241 ₽ 31 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 5 А, 0.84 Ом, TO-251, Through Hole
Триема Россия	SY035M0100B3F-0811 Yageo	11 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	STP6NK60Z (ST-STU7NM60N) STMicroelectronics	12 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STU7NM60N STMicroelectronics	42 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STU7NM60N /I-pak/ STMicroelectronics	69 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 5 А, IPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD7NM60N, STF7NM60N STP7NM60N, STU7NM60N
N-channel 600 V, 5 A, 0.84 DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK , second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Order codes STD7NM60N STF7NM60N STP7NM60N STU7NM60N
VDSS @ TJmax

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.84 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-251
• Полярность транзистора: N Channel
• Рассеиваемая мощность: 45 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)