Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STU8NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 5 А, IPAK

STMicroelectronics STU8NM50N

Наименование модели: STU8NM50N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 5 А, IPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N
N-channel 500 V, 0.73 5 A MDmeshTMII Power MOSFET , in DPAK, TO-220 and IPAK
Features
TAB
Order codes STD8NM50N STP8NM50N STU8NM50N

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.73 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-251
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 45 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STU8NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 5 A, IPAK

    MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
    Цены на STU8NM50N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics78,00 руб.
    Кремнийпо запросу
    ЭлектроПластSTMicroelectronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс