Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STW26NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20 А, TO 247

STMicroelectronics STW26NM60N

Наименование модели: STW26NM60N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20 А, TO 247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB26NM60N, STF26NM60N, STI26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmeshTM II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
Datasheet -- production data
Features
Type STB26NM60N STF26NM60N STI26NM60N STP26NM60N STW26NM60N

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.135 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 140 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STW26NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 20 A, TO 247

    Исполнение: TO-247. MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 20 А; Rси(вкл): 0.165 Ом; @Uзатв(ном): 10 В;...
    Цены на STW26NM60N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics110 руб.
    ICdaromSTMicroelectronicsот 119 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsот 135 руб.
    ТерраэлектроникаSTMicroelectronicsот 135 руб.
    КонтестSTMicroelectronics179 руб.
    Все 16 предложений от 10 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс