Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet VS-FB190SA10 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 190 А, SOT-227

Vishay VS-FB190SA10

Наименование модели: VS-FB190SA10

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 190 А, SOT-227

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VS-FB190SA10
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
FEATURES
· Fully isolated package · Very low on-resistance · Fully avalanche rated · Dynamic dV/dt rating · Low drain to case capacitance

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 190 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0054 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.3 В
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-227
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 568 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet VS-FB190SA10 - Vishay MOSFET, N-CH, 100 V, 190 A, SOT-227

    VS-FB190SA10 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 014 до 2 505 руб.
    Тип корпуса: SOT227 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET силовой модуль
    Цены на VS-FB190SA10
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay1 014 руб.
    ICdaromVishayот 1 396 руб.
    Терраэлектроникаот 1 565 руб.
    Интерия1 670 руб.
    Ким2 505 руб.
    Все 9 предложений от 5 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс