Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet FQD2N80TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 800 В, 1.8 А, DPAK, RL

Fairchild FQD2N80TM

Наименование модели: FQD2N80TM

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 800 В, 1.8 А, DPAK, RL

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FQD2N80 / FQU2N80
January 2008
QFET
®
FQD2N80 / FQU2N80

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On Resistance Rds(on): 4.9 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet FQD2N80TM - Fairchild MOSFET, N-CH, 800 V, 1.8 A, DPAK, RL

    MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
    Цены на FQD2N80TM
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанFairchildFQD2N80TM22,30 руб.
    КремнийFQD2N80TM-NLпо запросу
    ДКО ЭлектронщикFairchildFQD2N80TMпо запросу
    ИнтерияFairchildFQD2N80TMпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургFairchildFQD2N80TMпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс