Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMDPB55XP - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118

NXP PMDPB55XP

Наименование модели: PMDPB55XP

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMDPB55XP
020 -6
20 V, dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 3 -- 4 June 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.055 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -650 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 490 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMDPB55XP - NXP MOSFET, DUAL P-CH, 20 V, SOT1118

    MOSFET P-CH 20V DUAL HUSON6
    Цены на PMDPB55XP
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанPMDPB55XP,11515,40 руб.
    TradeElectronicsNXPPMDPB55XP,115по запросу
    КремнийNXPPMDPB55XP115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс