Datasheet PMDPB55XP - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118 — Даташит

Купить PMDPB55XP на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 1 026 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -14А
AiPCBA Весь мир	PMDPB55XP,115 TE Connectivity	10 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	PMDPB55XP,115 NXP	20 ₽	Купить
ЧипСити Россия	PMDPB55XP NXP	47 ₽	Купить
Flash-Turtle Весь мир	PMDPB55XP,115 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMDPB55XP
020 -6
20 V, dual P-channel Trench MOSFET
Rev.

3 -- 4 June 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 0.055 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -650 мВ
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 8
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 490 мВт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)