Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMN80XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT457

NXP PMN80XP

Наименование модели: PMN80XP

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO
T4 57
PMN80XP
20 V, single P-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 8 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -3.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -750 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 6
  • Корпус транзистора: TSOP
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 385 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMN80XP - NXP MOSFET, P-CH, 20 V, SOT457

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMN80XP11519,60 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс