На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PMPB11EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220 — Даташит

NXP PMPB11EN

Наименование модели: PMPB11EN

23 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,7А; Idm: 34А
Akcel
Весь мир
PMPB11EN,115
Nexperia
от 17 ₽
Utmel
Весь мир
PMPB11EN,115
Nexperia
от 17 ₽
ЭИК
Россия
PMPB11EN,115
Nexperia
от 27 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMPB11EN
NXP
45 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMPB11EN
MD -6
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 13 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.012 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMPB11EN - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, SOT1220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России