Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMPB11EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220

NXP PMPB11EN

Наименование модели: PMPB11EN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMPB11EN
MD -6
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 13 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.012 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMPB11EN - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, SOT1220

    MOSFET N-CH 30V SOT1220
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMPB11EN,11524,70 руб.
    Океан ЭлектроникиNXPPMPB11EN,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс