Datasheet PMPB11EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220 — Даташит
Наименование модели: PMPB11EN
Купить PMPB11EN на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 45 ₽ 23 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,7А; Idm: 34А | |||
PMPB11EN,115 Nexperia | от 17 ₽ | ||
PMPB11EN,115 Nexperia | от 17 ₽ | ||
PMPB11EN,115 Nexperia | от 27 ₽ | ||
PMPB11EN NXP | 45 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220
Краткое содержание документа:
PMPB11EN
MD -6
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 13 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.012 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)