Datasheet PMPB20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMPB11EN
MD -6
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 10.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.0165 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 8
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)