Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SJDP170R1400 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1700 В, 3 А, TO247

SemiSouth SJDP170R1400

Наименование модели: SJDP170R1400

Производитель: SemiSouth

Описание: JFET, SIC, N-ON, 1700 В, 3 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
SJDP170R1400
Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Extremely Fast Switching with No "Tail" Current at 150 ° C - RDS(on) max of 1.40 - Voltage Controlled - Low Gate Charge - Low Intrinsic Capacitance
4

Спецификации:

  • Breakdown Voltage Vbr: 1.7 кВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 35 Вт
  • Тип транзистора: JFET
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SJDP170R1400 - SemiSouth JFET, SIC, N-ON, 1700 V, 3 A, TO247

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс