На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet NGTB15N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 15 А, FS1, TO-247-3 — Даташит

ON Semiconductor NGTB15N120LWG

Наименование модели: NGTB15N120LWG

19 предложений от 13 поставщиков
ON SEMICONDUCTOR - NGTB15N120LWG - IGBT, 1200V, 15A, FS1, TO-247-3
Utmel
Весь мир
NGTB15N120LWG
ON Semiconductor
от 55 ₽
Akcel
Весь мир
NGTB15N120LWG
ON Semiconductor
от 56 ₽
NGTB15N120LWG
ON Semiconductor
81 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
NGTB15N120LWG
ON Semiconductor
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 15 А, FS1, TO-247-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N120LWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.

The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
  • DC Collector Current: 30 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 156 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGTB15N120LWG - ON Semiconductor IGBT, 1200 V, 15 A, FS1, TO-247-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России