Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGTB15N60EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3

ON Semiconductor NGTB15N60EG

Наименование модели: NGTB15N60EG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N60EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for motor drive control and other hard switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged reverse recovery diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
  • DC Collector Current: 30 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 117 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGTB15N60EG - ON Semiconductor IGBT, 600 V, 15 A, TO-220-3

    IGBT 15A 600V TO-220-3
    Цены на NGTB15N60EG
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor58,70 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorпо запросу
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    ЭлектроПластON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс