Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGTB15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, W/ диод, TO-220-3

ON Semiconductor NGTB15N60S1EG

Наименование модели: NGTB15N60S1EG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 600 В, 15 А, W/ диод, TO-220-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for motor drive control and other hard switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged reverse recovery diode with a low forward voltage.
· · · · · ·


  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
  • DC Collector Current: 30 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 117 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGTB15N60S1EG - ON Semiconductor IGBT, 600 V, 15 A, W/ DIODE, TO-220-3

    IGBT 15A 600V TO-220-3
    Цены на NGTB15N60S1EG
    ЭлитанON Semiconductor59,20 руб.
    Океан ЭлектроникиON Semiconductorпо запросу
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс