Datasheet NGTB25N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3 — Даташит
Наименование модели: NGTB25N120LWG
Купить NGTB25N120LWG на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 412 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - NGTB25N120LWG - IGBT, 1200V, 25A, FS1, TO-247-3 | |||
NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 91 ₽ | ||
NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 184 ₽ | ||
NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 316 ₽ | ||
NGTB25N120LWG ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3
Краткое содержание документа:
NGTB25N120LWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications.
Offering both low on-state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · · · · ·
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- DC Collector Current: 50 А
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-247
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 192 Вт
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)