Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGTB25N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3

ON Semiconductor NGTB25N120LWG

Наименование модели: NGTB25N120LWG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB25N120LWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on-state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
  • DC Collector Current: 50 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 192 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGTB25N120LWG - ON Semiconductor IGBT, 1200 V, 25 A, FS1, TO-247-3

    Исполнение: TO-247-3. IGBT 1200V 25A FS1 Gen Mkt IGBT транзистор NGTB25N120LWG. Описание в формате PDF
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor139 руб.
    ICdaromON Semiconductorот 152 руб.
    ИнтерияON Semiconductor207 руб.
    КимON Semiconductor347 руб.
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Все 14 предложений от 8 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс