Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGTG15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3

ON Semiconductor NGTG15N60S1EG

Наименование модели: NGTG15N60S1EG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTG15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for motor drive control and other hard switching applications.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
  • DC Collector Current: 30 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 117 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGTG15N60S1EG - ON Semiconductor IGBT, 600 V, 15 A, TO-220-3

    NGTG15N60S1EG на РадиоЛоцман.Цены — от 37,50 до 82,18 руб.
    Тип корпуса: TO-220 Производитель: ON Semiconductor Corporation IGBT транзистор
    Цены на NGTG15N60S1EG
    ПоставщикПроизводительЦена
    ТерраэлектроникаON Semiconductor37,50 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorот 37,50 руб.
    ИнтерияON Semiconductor39,36 руб.
    КимON Semiconductor74,00 руб.
    ТаймЧипсON Semiconductorпо запросу
    Все 13 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс