Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSC0902NS - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, 8TDSON — Даташит

Infineon BSC0902NS

Наименование модели: BSC0902NS

11 предложений от 11 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
T-electron
Россия и страны СНГ
BSC0902NS
Infineon
37 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSC0902NS
Infineon
45 ₽
ЧипСити
Россия
BSC0902NS
Infineon
116 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BSC0902NS TR
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, 8TDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
n-Channel Power MOSFET
OptiMOSTM BSC0902NSI
Data Sheet
2.1, 2011-09-08 Final
Industrial & Multimarket

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0022 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SuperSOT
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 48 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSC0902NS - Infineon MOSFET, N-CH, 30 V, 100 A, 8TDSON

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России