Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSO615N G - Infineon Даташит Полевой транзистор DUA, L N-CH 60 В, 2.6 А, 8SOIC

Infineon BSO615N G

Наименование модели: BSO615N G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор DUA, L N-CH 60 В, 2.6 А, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
G
° Pb-free lead plating; RoHS compliant
° Qualified according to AEC Q101
Marking
615N

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 2.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.12 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 2 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSO615N G - Infineon MOSFET DUA, L N-CH 60 V, 2.6 A, 8SOIC

    SIPMOS Small-signal-Transistor
    Цены на BSO615N G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSO615NG33,80 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonBSO615NGпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургInfineonBSO615NGпо запросу
    КремнийBSO615N Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс