Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSP123 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 370 мА, SOT223

Infineon BSP123 L6327

Наименование модели: BSP123 L6327

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 370 мА, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev. 1.5
BSP123
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 100 6 0.37

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 370 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.79 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP123 L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 100 V, 370 mA, SOT223

    BSP123 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 16,50 до 41,00 руб.
    SIPMOS Small-Signal-Transistor
    Цены на BSP123 L6327
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSP123L632716,50 руб.
    ТерраэлектроникаInfineonBSP123L6327от 16,50 руб.
    КремнийBSP123L6327по запросу
    TradeElectronicsInfineonBSP123L6327по запросу
    ИнтерияInfineonBSP123L6327по запросу
    Все 9 предложений от 7 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс