Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSP125 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223

Infineon BSP125 L6327

Наименование модели: BSP125 L6327

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev. 2.1
BSP125
SIPMOS Power-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 600 45 0.12

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 25 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP125 L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 120 mA, SOT-223

    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSP125L6327XT18,60 руб.
    МосЧипSiemensBSP125L6327по запросу
    КремнийBSP125L6327по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс