Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSP170P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 1.9 А, SOT-223

Infineon BSP170P L6327

Наименование модели: BSP170P L6327

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 1.9 А, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP170P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -1.9 V A
PG-SOT223

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -1.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.239 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP170P L6327 - Infineon MOSFET, P-CH, 60 V, 1.9 A, SOT-223

    SIPMOS Small-Signal-Transistor
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSP170PL6327HTSA126,90 руб.
    КремнийBSP170PL6327XTпо запросу
    ИнтерияInfineonBSP170PL6327по запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургInfineonBSP170PL6327XTпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс