Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSP316P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223

Infineon BSP316P L6327

Наименование модели: BSP316P L6327

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP316P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
· Qualified according to AEC Q101
Drain pin 2/4 Gate pin1 Source pin 3
Product Summary VDS R DS(on) ID -100 1.8 -0.68 V A

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -680 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -100 В
  • On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP316P L6327 - Infineon MOSFET, P-CH, 100 V, 680 mA, SOT-223

    Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
    Цены на BSP316P L6327
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSP316PL632725,90 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonBSP316PL6327по запросу
    ИнтерияInfineonBSP316PL6327по запросу
    ЭлектроПластNXPBSP316PL6327по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс