HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BSR802N L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 3.7 А, SC-59 — Даташит

Infineon BSR802N L6327

Наименование модели: BSR802N L6327

43 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 3.7 А, 0.017 Ом, SC-59, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
BSR802NL6327HTSA1
Infineon
11 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSR802NL6327
Infineon
18 ₽
ЧипСити
Россия
BSR802NL6327
Infineon
31 ₽
DIP8.RU
Россия и страны ТС
BSR802NL6327HTSA1
Infineon
от 38 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 3.7 А, SC-59

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
3CB/')?
@YR>@Cb ' : .99' 6 4;.9(> .;?6 <> ?@
7NJ]ZN[ U ) 8=6CC: A U C=6C8: B : CH D B 9: U 0 AF ' D 8 A J: A
1 F : 9 H6 <> : 6H U J6A 6C8=: F : 9 6H U ! DEF 8D E6H : H .

* / DH > CH B > D 7A U , I6A; 9 688D 9> H >: > F C< D ,
% > A0@' A: : .> <1 E ) ;J ' ;J"`_#$^Rh ) >J

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 3.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.017 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 550 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SC-59
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSR802N L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 20 V, 3.7 A, SC-59

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России