Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSS123 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23

Infineon BSS123 L6327

Наименование модели: BSS123 L6327

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev. 1.41
BSS123
SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 170 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 360 мВт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSS123 L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 100 V, 170 mA, SOT-23

    BSS123 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 1,60 до 10,00 руб.
    Производитель: Infineon Technologies AG J-FET транзистор
    Цены на BSS123 L6327
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ТерраэлектроникаInfineonBSS123L63271,60 руб.
    ИнтерияInfineonBSS123L63271,63 руб.
    ICdaromInfineonBSS123L6327от 1,82 руб.
    ЭлитанInfineonBSS123L63274,74 руб.
    КремнийBSS123L6327по запросу
    Все 11 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс