Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSZ076N06NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

Infineon BSZ076N06NS3 G

Наименование модели: BSZ076N06NS3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
BSZ076N06NS3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · Ideal for high frequency switching and sync. rec. · Optimized technology for DC/DC converters · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · N-channel, normal level · 100% avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSZ076N06NS3 G
Product Summary V DS R DS(on),max ID 60 7.6 20 V m A

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.006 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 69 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSZ076N06NS3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 60 V, 20 A, 8TSDSON

    MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
    Цены на BSZ076N06NS3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSZ076N06NS3G36,10 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonBSZ076N06NS3Gпо запросу
    LifeElectronicsInfineonBSZ076N06NS3Gпо запросу
    КремнийBSZ076N06NS3 Gпо запросу
    ТаймЧипсInfineonBSZ076N06NS3 Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс