Datasheet BSZ100N06LS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON — Даташит

Infineon BSZ100N06LS3 G

Наименование модели: BSZ100N06LS3 G

Купить BSZ100N06LS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 6 483 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8Pin TSDSON T/R
ЧипСити Россия	BSZ100N06LS3G Infineon	65 ₽
AiPCBA Весь мир	BSZ100N06LS3G Infineon	69 ₽
Элитан Россия	BSZ100N06LS3G Infineon	90 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSZ100N06LS3G	6 483 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% * ! %
"%&$!"# # ;B 1= = > > ;= & -: 5 ?
6MI[YMZ R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4
C C H:E J? 64
R ) AE :K65 E :> 649? @= 7 4@? G E D @8J @C 6C 6C R I46= E E 492 C I' 9I"[# AC = 82 6 6? 86 @5F4E ) ' R( 492 ? ? 6== @8:4 = 6= 6G R 2 G =? 496 E E 2 2 6D 65 R* 3 766 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E C 2 :? :2 R+ F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 20 А
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On Resistance Rds(on): 0.008 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
Количество выводов: 8
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 50 Вт
RoHS: да