Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IPA60R099C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 37.9 А, TO220-FP — Даташит

Infineon IPA60R099C6

Наименование модели: IPA60R099C6

18 предложений от 12 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 37.9 А, 0.09 Ом, TO-220FP, Through Hole
IPA60R099C6XKSA1
Infineon
170 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IPA60R099C6
Infineon
240 ₽
AiPCBA
Весь мир
IPA60R099C6XKSA1
Infineon
463 ₽
ChipWorker
Весь мир
IPA60R099C6XKSA1
Infineon
469 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 37.9 А, TO220-FP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GIM@?N
+ =L D- PA 1 =E A F=;L2J FKKG 9 <= ;G G =D > 9 AL J
!GGD+ - 1 !
4 !G D - 1 Y ! .

G G+ O=J2J FKKG 9 AL J '. P 0 !
" 991 @==L L

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 37.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.09 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220FP
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 35 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPA60R099C6 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 37.9 A, TO220-FP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России