Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IPA65R380E6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 10.6 А, TO220 — Даташит

Infineon IPA65R380E6

Наименование модели: IPA65R380E6

37 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 10.6 А, 0.34 Ом, TO-220FP, Through Hole
T-electron
Россия и страны СНГ
IPA65R380E6
Infineon
83 ₽
AiPCBA
Весь мир
IPA65R380E6
Infineon
86 ₽
ChipWorker
Весь мир
IPA65R380E6
Infineon
87 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IPA65R380E6
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 10.6 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GIM@?N
+ =L D- PA 1 =E A F=;L2J FKKG 9 <= ;G G =D > 9 AL J
!GGD+ - 1 #
4 !G D - 1 Y # .

G G+ O=J2J FKKG 9 AL J '. P 0 #
" 991 @==L L

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.34 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220FP
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 31 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPA65R380E6 - Infineon MOSFET, N-CH, 650 V, 10.6 A, TO220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России