Datasheet IPB025N10N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 180 А, TO263-7 — Даташит

Infineon IPB025N10N3 G

Наименование модели: IPB025N10N3 G

Купить IPB025N10N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 256 до 273 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков МОП-транзистор OptiMOS 3 Power Transistor
ЧипСити Россия	IPB025N10N3GE818XT Infineon	256 ₽
ChipWorker Весь мир	IPB025N10N3GE818XT Infineon	273 ₽
Acme Chip Весь мир	IPB025N10N3G	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IPB025N10N3G	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 180 А, TO263-7

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB025N10N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features P ' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A GR 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P G A C5=5< < F ? >A 9C 5 R 9H"[Z# H? 5BB1>3 P " 9 3 D A 3 1@12 9C 78 A5>C 7 1C A P ) 2 655 < A 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C 1C >7 9 P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ?
)#
TM

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 180 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 0.002 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.7 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 7
Корпус транзистора: TO-263
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 300 Вт
RoHS: да