Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPB025N10N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 180 А, TO263-7

Infineon IPB025N10N3 G

Наименование модели: IPB025N10N3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 180 А, TO263-7

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB025N10N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features P ' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A GR 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P G A C5=5< < F ? >A 9C 5 R 9H"[Z# H? 5BB1>3 P " 9 3 D A 3 1@12 9C 78 A5>C 7 1C A P ) 2 655 < A 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C 1C >7 9 P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ?
)#
TM

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 180 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.002 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 7
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPB025N10N3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 100 V, 180 A, TO263-7

    МОП-транзистор OptiMOS 3 Power Transistor
    Цены на IPB025N10N3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPB025N10N3G222 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPB025N10N3Gпо запросу
    КремнийIPB025N10N3 Gпо запросу
    ЭлектроПластInfineonIPB025N10N3Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс