Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPB036N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 180 А, TO263-7

Infineon IPB036N12N3 G

Наименование модели: IPB036N12N3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 180 А, TO263-7

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB036N12N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 3 ? >F D C ? 89 B G9 >7 3 5B 5B Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? >B 9D 5 + 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q 1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D B 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
TM

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 180 А
  • Drain Source Voltage Vds: 120 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0029 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 7
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPB036N12N3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 120 V, 180 A, TO263-7

    MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
    Цены на IPB036N12N3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPB036N12N3G274 руб.
    КремнийIPB036N12N3 Gпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPB036N12N3Gпо запросу
    LifeElectronicsInfineonIPB036N12N3 Gпо запросу
    TradeElectronicsInfineonIPB036N12N3Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс