Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPB038N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO263-3

Infineon IPB038N12N3 G

Наименование модели: IPB038N12N3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO263-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPI041N12N3 G IPP041N12N3 G IPB038N12N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant, halogen free · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max (TO-263) ID 120 3.8 120 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPB038N12N3 G IPI041N12N3 G IPP041N12N3 G

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 120 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0032 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPB038N12N3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 120 V, 120 A, TO263-3

    OptiMOSTM3 Power-Transistor
    Цены на IPB038N12N3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPB038N12N3G229 руб.
    КремнийIPB038N12N3 G TRпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPB038N12N3Gпо запросу
    ЭлектроПластInfineonIPB038N12N3Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс