Datasheet IPB320N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO263-3 — Даташит

Infineon IPB320N20N3 G

Наименование модели: IPB320N20N3 G

Купить IPB320N20N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 347 до 408 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Элитан Россия	IPB320N20N3G Infineon	347 ₽
ЧипСити Россия	IPB320N20N3G Infineon	383 ₽
МосЧип Россия	IPB320N20N3G Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPB320N20N3G Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB320N20N3 G
IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary V DS R DS(on),max ID 200 32 34 V m A

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 34 А
Drain Source Voltage Vds: 200 В
On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-263
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 136 Вт
RoHS: да