Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPB320N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO263-3

Infineon IPB320N20N3 G

Наименование модели: IPB320N20N3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO263-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB320N20N3 G
IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary V DS R DS(on),max ID 200 32 34 V m A

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 34 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 136 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPB320N20N3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 200 V, 34 A, TO263-3

    MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
    Цены на IPB320N20N3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPB320N20N3G112 руб.
    КремнийIPB320N20N3 G TRпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPB320N20N3Gпо запросу
    TradeElectronicsInfineonIPB320N20N3 Gпо запросу
    МосЧипInfineonIPB320N20N3Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс