Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPB50R199CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 550 В, 17 А, TO-263

Infineon IPB50R199CP

Наименование модели: IPB50R199CP

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 550 В, 17 А, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
9?3,'@(004?
4VVS=>AB= # : A 0<& < == : < ,9 4 >
7LHZ[XLY W *FMK @ W 3 CJ8 CFM >8J : ?8H H < >< W # NJ? <8B : K H : 8G @ J H# < /?.>% ?8 8 ,< : C - "1 9N]`Tj + >M#ba$&`Tj * Z&fkc //* *(+33 -. P " a=
W . 9 H C<8; G @ 0 F& 1 : FD G 8EJ

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 17 А
  • Drain Source Voltage Vds: 550 В
  • On Resistance Rds(on): 0.18 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 139 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPB50R199CP - Infineon MOSFET, N-CH, 550 V, 17 A, TO-263

    MOSFET, N, TO-263 (166-4010)
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPB50R199CP187 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPB50R199CPпо запросу
    ПолигонInfineonIPB50R199CP INFINEONпо запросу
    КремнийIPB50R199CPпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс