Datasheet IPD600N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO252-3 — Даташит

Infineon IPD600N25N3 G

Наименование модели: IPD600N25N3 G

Купить IPD600N25N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 92 до 880 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков SP000676404_N-KANAL POWER MOS_TR_RO
AiPCBA Весь мир	IPD600N25N3G Infineon	92 ₽
ChipWorker Весь мир	IPD600N25N3G Infineon	92 ₽
Элитан Россия	IPD600N25N3G	880 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IPD600N25N3G	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD600N25N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max ID 250 60 25 V mW A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPD600N25N3 G

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 25 А
Drain Source Voltage Vds: 250 В
On Resistance Rds(on): 0.051 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-252
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 136 Вт
RoHS: да