Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IPD60R2K0C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 2.4 А, TO252-3 — Даташит

Infineon IPD60R2K0C6

Наименование модели: IPD60R2K0C6

27 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,5А; Idm: 6А; 22,3Вт; PG-TO252
T-electron
Россия и страны СНГ
IPD60R2K0C6BTMA1
Infineon
25 ₽
ЧипСити
Россия
IPD60R2K0C6
Infineon
46 ₽
ChipWorker
Весь мир
IPD60R2K0C6
Infineon
57 ₽
ЭИК
Россия
IPD60R2K0C6ATMA1
Infineon
от 63 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 2.4 А, TO252-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GHL@?M
+ !FFC+ , 0 !
3 !FFC+ , 0 X ! - FN" 8K 0 ?<

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 1.8 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 22.3 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPD60R2K0C6 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 2.4 A, TO252-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России