Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPP023NE7N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 120 А, TO220

Infineon IPP023NE7N3 G

Наименование модели: IPP023NE7N3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 120 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
# # ! ! # ! !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY Q ( @D J54 D 8>? < 7I 6 B I>3 8B >? EC B D91D > 9 =9 53 ? ? C ? 53 93 9 6 ? Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 3 ? >F D C ? 89 B G9 >7 3 5B 5B Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? >B 9D 5 + 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q 1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 81< 75> 655 B 1D >7 9 ? B Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
B<

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0021 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.1 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPP023NE7N3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 75 V, 120 A, TO220

    MOSFET N-CH 75V 120A TO220
    Цены на IPP023NE7N3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPP023NE7N3G240 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPP023NE7N3Gпо запросу
    КремнийIPP023NE7N3 Gпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургInfineonIPP023NE7N3 Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс