Datasheet IPP110N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 88 А, TO220-3 — Даташит

Infineon IPP110N20N3 G

Наименование модели: IPP110N20N3 G

Купить IPP110N20N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 296 до 961 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3Pin
ЧипСити Россия	IPP110N20N3G Infineon	296 ₽
AiPCBA Весь мир	IPP110N20N3G Infineon	311 ₽
Элитан Россия	IPP110N20N3G Infineon	961 ₽
ЗУМ-СМД Россия	IPP110N20N3G Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 88 А, TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB107N20N3 G
IPP110N20N3 G IPI110N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max (TO263) ID 200 10.7 88 V mW A

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 88 А
Drain Source Voltage Vds: 200 В
On Resistance Rds(on): 0.0099 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-220
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 300 Вт
RoHS: да