Datasheet IPP200N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3 — Даташит

Infineon IPP200N25N3 G

Наименование модели: IPP200N25N3 G

Купить IPP200N25N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 561 до 961 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
ЧипСити Россия	IPP200N25N3G Infineon	561 ₽
AiPCBA Весь мир	IPP200N25N3G Infineon	594 ₽
Элитан Россия	IPP200N25N3G Infineon	961 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IPP200N25N3G Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB200N25N3 G
IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max ID 250 20 64 V mW A

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 64 А
Drain Source Voltage Vds: 250 В
On Resistance Rds(on): 0.0175 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-220
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 300 Вт
RoHS: да