Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPP200N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3

Infineon IPP200N25N3 G

Наименование модели: IPP200N25N3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB200N25N3 G
IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max ID 250 20 64 V mW A

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 64 А
  • Drain Source Voltage Vds: 250 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0175 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPP200N25N3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 250 V, 64 A, TO220-3

    OptiMOSTM3 Power-Transistor
    Цены на IPP200N25N3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPP200N25N3G324 руб.
    КремнийIPP200N25N3Gпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургInfineonIPP200N25N3Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс