Datasheet IPP600N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO220-3 — Даташит

Infineon IPP600N25N3 G

Наименование модели: IPP600N25N3 G

Купить IPP600N25N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 125 до 403 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
ЗУМ-СМД Россия	IPP600N25N3G Infineon	125 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IPP600N25N3G Infineon	132 ₽
ЧипСити Россия	IPP600N25N3G Infineon	354 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IPP600N25N3G	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB600N25N3 G
IPP600N25N3 G IPI600N25N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max ID 250 60 25 V mW A

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 25 А
Drain Source Voltage Vds: 250 В
On Resistance Rds(on): 0.051 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-220
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 136 Вт
RoHS: да