Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SPB08P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263

Infineon SPB08P06P G

Наименование модели: SPB08P06P G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB08P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature · Pb-free lead finishing; RoHS compliant

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -8.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.221 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 42 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPB08P06P G - Infineon MOSFET, P-CH, 60 V, 8.8 A, TO-263

    MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
    Цены на SPB08P06P G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonSPB08P06PG33,00 руб.
    КремнийSPB08P06P Gпо запросу
    Океан ЭлектроникиInfineonSPB08P06P Gпо запросу
    ИнтерияSPB08P06P Gпо запросу
    LifeElectronicsInfineonSPB08P06PGпо запросу
    Все 6 предложений от 6 поставщиков »

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс