Datasheet SPB08P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263 — Даташит

Infineon SPB08P06P G

Наименование модели: SPB08P06P G

Купить SPB08P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 51 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков SIPMOS Power-Transistor
ЧипСити Россия	SPB08P06PG Infineon	47 ₽
AiPCBA Весь мир	SPB08P06PG Infineon	50 ₽
LifeElectronics Россия	SPB08P06PG Infineon	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	SPB08P06PG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB08P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature · Pb-free lead finishing; RoHS compliant

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -8.8 А
Drain Source Voltage Vds: -60 В
On Resistance Rds(on): 0.221 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-263
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 42 Вт
RoHS: да