Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SPB11N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 11 А, D2PAK

Infineon SPB11N60C3

Наименование модели: SPB11N60C3

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 11 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB11N60C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Improved transconductance
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.38 11
PG-TO263

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 11 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.34 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPB11N60C3 - Infineon MOSFET, N-CH, 650 V, 11 A, D2PAK

    MOSFET, N, TO-263 (166-4097)
    Цены на SPB11N60C3
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonSPB11N60C3118 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonSPB11N60C3по запросу
    ПолигонInfineonSPB11N60C3 INFINEONпо запросу
    Океан ЭлектроникиInfineonSPB11N60C3по запросу
    КремнийSPB11N60C3по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс