Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SPB80P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 80 А, TO-263

Infineon SPB80P06P G

Наименование модели: SPB80P06P G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 80 А, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB80P06P G SIPMOS ® Power-Transistor
Features
·
Product Summary Drain source voltage Drain-source on-state resistance Continuous drain current
P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated 175°C operating temperature

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -80 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.021 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 340 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPB80P06P G - Infineon MOSFET, P-CH, 60 V, 80 A, TO-263

    SIPMOS?' Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
    Цены на SPB80P06P G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonSPB80P06PG122 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonSPB80P06PGпо запросу
    КремнийSPB80P06P Gпо запросу
    ЭлектроПластInfineonSPB80P06PGпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс